The New Equations of p-n Junction Carrier Injection Level
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
P-n Junction Diode
Chemist, led the research for the molecular diode (In the semiconductor industry, called p-n junctions)
متن کاملexistence and approximate $l^{p}$ and continuous solution of nonlinear integral equations of the hammerstein and volterra types
بسیاری از پدیده ها در جهان ما اساساً غیرخطی هستند، و توسط معادلات غیرخطی بیان شده اند. از آنجا که ظهور کامپیوترهای رقمی با عملکرد بالا، حل مسایل خطی را آسان تر می کند. با این حال، به طور کلی به دست آوردن جوابهای دقیق از مسایل غیرخطی دشوار است. روش عددی، به طور کلی محاسبه پیچیده مسایل غیرخطی را اداره می کند. با این حال، دادن نقاط به یک منحنی و به دست آوردن منحنی کامل که اغلب پرهزینه و ...
15 صفحه اولThe dynamic organic p-n junction.
Static p-n junctions in inorganic semiconductors are exploited in a wide range of today's electronic appliances. Here, we demonstrate the in situ formation of a dynamic p-n junction structure within an organic semiconductor through electrochemistry. Specifically, we use scanning kelvin probe microscopy and optical probing on planar light-emitting electrochemical cells (LECs) with a mixture of a...
متن کاملthe underlying structure of language proficiency and the proficiency level
هدف از انجام این تخقیق بررسی رابطه احتمالی بین سطح مهارت زبان خارجی (foreign language proficiency) و ساختار مهارت زبان خارجی بود. تعداد 314 زبان آموز مونث و مذکر که عمدتا دانشجویان رشته های زبان انگلیسی در سطوح کارشناسی و کارشناسی ارشد بودند در این تحقیق شرکت کردند. از لحاظ سطح مهارت زبان خارجی شرکت کنندگان بسیار با هم متفاوت بودند، (75 نفر سطح پیشرفته، 113 نفر سطح متوسط، 126 سطح مقدماتی). کلا ...
15 صفحه اولMinority carrier lifetime and surface effects in VLS-grown axial p-n junction silicon nanowires.
High aspect ratio p–n junction semiconductors have displayed great potential for emerging photovoltaics owing to enhanced properties such as improved light absorption or trapping effi ciency and facile carrier collection. [ 1–4 ] In the case of bottomup synthesized p–n junction nanowires, additional advantages come from their single-crystalline structure and reduced materials usage, coupled wit...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Electronics and Electrical Engineering
سال: 2013
ISSN: 2029-5731,1392-1215
DOI: 10.5755/j01.eee.19.2.3467